Präzises Messsystem für die Analyse von GaN- und SiC-Halbleitern

Teledyne LeCroy gab die Markteinführung des neuen optisch isolierten Tasters DL-ISO und der Power-Device-Testsoftware von Teledyne LeCroy bekannt. In Kombination mit den High Definition Oszilloskcopen (HDO) ermöglichen sie eine genaue elektrische Charakterisierung von Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleitern.

Seit mehr als dreißig Jahren verwenden Ingenieure Silizium-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) und Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) für die Herstellung von Stromversorgungen und Stromumwandlungssystemen. Die Verbraucher verlangen jedoch immer kleinere und leichtere Stromversorgungen und Systeme, und die Regierungen schreiben höhere Wirkungsgrade vor. Wide-Bandgap-Materialien (WBG) wie GaN und SiC schalten in Halbleiterbauelementen mehr als zehnmal schneller als Si und verringern Größe und Gewicht bei gleichzeitig höherer Effizienz. Viele Ingenieure setzen jedoch zum ersten Mal WBG-Halbleiter ein und benötigen daher nun eine größere Messbandbreite sowie genauere und detailliertere Analysemöglichkeiten der Halbleiterbauelemente.

Der neue optisch isolierte Hochspannungs-Tastkopf DL-ISO von Teledyne LeCroy ermöglicht es Entwicklungsingenieuren, Messungen an GaN- und SiC-Leistungshalbleiterbauelementen zuverlässig durchzuführen. Der neue Tastkopf bietet hohe Signaltreue, geringes Überschwingen und eine Genauigkeit von 1,5 % in Kombination mit den HDO-Oszilloskopen mit 12-Bit-Vertikalauflösung von Teledyne LeCroy.

Die Bandbreite von 1 GHz erfüllt die Anforderungen zur Messung von 1-ns-Anstiegszeiten von GaN-Bauelementen. Die HDO-Oszilloskope bieten außerdem eine Abtastrate von bis zu 20 GS/s bei einer Auflösung von 12 Bit für die originalgetreue Erfassung und Anzeige der sehr schnellen Signale bei GaN- und SiC-Bauelementen. Diese Kombination aus bester Signaltreue, geringem Überschwingen, hoher Genauigkeit, hoher Bandbreite und hoher Abtastrate ist für die erfolgreiche Implementierung von GaN- und SiC-Technologien in neuen Designs von entscheidender Bedeutung. Das neue Power-Device-Softwarepaket von Teledyne LeCroy vereinfacht zusätzlich die Analyse von GaN- und SiC-Bauelementen mit automatisierten JEDEC®-Schaltverlustmessungen und weiteren Messfunktionen sowie farbkodierten Overlays zur Hervorhebung der relevanten vermessenen Signalbereiche.